特許
J-GLOBAL ID：201203026745509967

研磨液及び研磨方法

発明者：
上村 哲也

上村 哲也 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-171074
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033647
出願日： 2010年07月29日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】半導体集積回路の作製の化学的機械的研磨において、研磨速度が迅速であり、かつ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。【解決手段】化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、下記(1)及び(2)で示される各成分を含有し、pHが1.5〜5.0であり、且つ、第1層の研磨速度をRR(p-Si)とし、第2層の研磨速度をRR(other)とした場合に、RR(other)/RR(p-Si)で表される比が1.5〜200の範囲で前記被研磨体を研磨しうることを特徴とする研磨液。(1)コロイダルシリカ粒子(2)リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸から選ばれる少なくとも1種のリン酸化合物【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層とを少なくとも有して構成される半導体基板の化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、 下記(1)及び(2)で示される各成分を含有し、pHが1.5〜5.0であり、且つ、前記第1層の研磨速度をRR(p-Si)とし、前記第2層の研磨速度をRR(other)とした場合に、RR(other)/RR(p-Si)で表される比が1.5〜200の範囲で前記被研磨体を研磨しうることを特徴とする研磨液。 (1)コロイダルシリカ粒子 (2)リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸から選ばれる少なくとも1種のリン酸化合物
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550E ,  C09K3/14 550Z
Fターム (21件)：
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA17 ,  5F057AA29 ,  5F057BA18 ,  5F057BB14 ,  5F057BB15 ,  5F057BB16 ,  5F057BB19 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA16 ,  5F057EA17 ,  5F057EA21 ,  5F057EA27 ,  5F057EA32
引用特許：
審査官引用 (5件)
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