特許
J-GLOBAL ID：201003000419438860

SOIウエハの製造方法およびSOIウエハ

発明者：
額賀 栄二

額賀 栄二 について

, 
井上 俊明

井上 俊明 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-328213
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153488
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】SOI(Silicon On Insulator)ウエハの反り変形を防止する。【解決手段】SOIウエハ1は、第1シリコンウエハ2のシリコン部分上に、第1シリコンウエハ2の表面の表面側酸化膜3およびシリコン層5の表面の酸化膜6からなるBOX層と、シリコン層5のシリコン部分とがこの順に積層されたSOI構造を有している。そして、BOX層の厚さが裏面側酸化膜4の厚さに等しい。そのため、BOX層と裏面側酸化膜4との膨張/収縮量にほとんど差が生じない。よって、その膨張/収縮量差に起因するSOIウエハ1(第1シリコンウエハ2)の反り変形を防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1シリコンウエハおよび第2シリコンウエハの各表面および各裏面に酸化膜を成長させるための熱酸化処理を行う工程と、 前記熱酸化処理に先立ち、前記第1シリコンウエハに対し、前記熱酸化処理時に酸化膜を前記第1シリコンウエハの表面よりもその裏面に大きく成長させるための成長レート変更処理を行う工程と、 前記熱酸化処理後、前記第1シリコンウエハの表面と前記第2シリコンウエハの表面とを貼り合わせる工程とを含む、SOIウエハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (1件)：
H01L27/12 B
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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