特許
J-GLOBAL ID：201503014863285253

CSPウエーハの加工方法

発明者：
宮田 諭

宮田 諭 について

, 
高木 敦史

高木 敦史 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子 ,  増田 さやか
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-031799
公開番号（公開出願番号）：特開2015-159136
出願日： 2014年02月21日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：
【課題】デバイスが形成された基板の表面に樹脂が被覆されたCSPウエーハを分割予定ラインに沿って確実に分割する。【解決手段】基板の表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、デバイス領域に樹脂280を被覆するCSPウエーハを個々のデバイスに分割する加工方法であって、基板2の表面に樹脂を被覆する前に、外周余剰領域に第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに対応するマークを形成するマーク形成工程と、マーク形成工程が実施された基板の表面に外周余剰領域が露出するようにデバイス領域に樹脂を被覆する樹脂被覆工程と、樹脂被覆工程が実施された基板の外周余剰領域に形成されたマーク27a、27bを検出し、樹脂で被覆された分割予定ラインに沿って樹脂および基板を切断して個々のデバイスに分割する分割工程とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板の表面に第1の方向に形成された複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインとによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイス領域に樹脂を被覆するCSPウエーハを個々のデバイスに分割するCSPウエーハの加工方法であって、 基板の表面に樹脂を被覆する前に、該外周余剰領域に該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに対応するマークを形成するマーク形成工程と、 該マーク形成工程が実施された基板の表面に該外周余剰領域が露出するように該デバイス領域に樹脂を被覆する樹脂被覆工程と、 該樹脂被覆工程が実施されたCSPウエーハを構成する基板の該外周余剰領域に形成されたマークを検出し、樹脂で被覆された該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って樹脂および基板を切断してCSPウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、 ことを特徴とするCSPウエーハの加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  H01L 23/00 ,  H01L 21/56
FI (3件)：
H01L21/78 C ,  H01L23/00 A ,  H01L21/56 R
Fターム (21件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA04 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F063AA02 ,  5F063BA18 ,  5F063BA21 ,  5F063BA28 ,  5F063CB02 ,  5F063CB05 ,  5F063CB06 ,  5F063CB22 ,  5F063CB25 ,  5F063DD01 ,  5F063DE02 ,  5F063DE07 ,  5F063DE33 ,  5F063DF06 ,  5F063DF14 ,  5F063EE21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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