シリコン酸化膜の除去方法及び処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124095
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343094
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】自然酸化膜やケミカル酸化膜等のシリコン酸化膜を、室温よりもかなり高い温度下で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器18内にて、被処理体Wの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、HFガスとNH3 ガスとの混合ガスを用いて前記シリコン酸化膜を除去する。このようにHFガスとNH3 ガスとの混合ガスを用いることにより被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜を効率的に除去することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内にて、被処理体の表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、 HFガスとNH3 ガスとの混合ガスを用いて前記シリコン酸化膜を除去するようにしたことを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。

IPC (1件)：

H01L21/302

FI (1件)：

H01L21/302 201A

Fターム (7件)：

5F004AA16 , 5F004BA19 , 5F004BB19 , 5F004DA00 , 5F004DA20 , 5F004DB03 , 5F004EA34

引用特許：

出願人引用 (10件)

エッチング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-327907 出願人：日本電気株式会社, 日本エー・エス・エム株式会社
特開平3-140453号公報
被処理体の酸化方法及び酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-128350 出願人：東京エレクトロン株式会社

全件表示

審査官引用 (11件)

半導体製造装置及びシリコン酸化膜の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-019721 出願人：三菱電機株式会社
半導体基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-270901 出願人：株式会社東芝
特開平3-147322

全件表示

前のページに戻る