周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-557245
公開番号（公開出願番号）：特表2013-522882
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

狭ピッチの適用分野に適した半導体デバイスの製造装置および製造方法が、本明細書に記載されている。材料層の表面を酸化させて酸化物層を形成し、エッチングプロセスによって酸化物層の少なくとも一部を除去し、かつ材料層が所望の形状に形成されるまで、酸化および除去処理を周期的に繰り返すことによって、材料層を形成および/または成形するように構成された様々な単一チャンバが開示されている。いくつかの実施形態では、材料層は、半導体デバイスの浮遊ゲートとすることができる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する装置であって、基板を支持する基板支持体が中に配置された処理チャンバと、前記基板支持体上に支持された基板の温度を約100°C未満の第1の温度に制御する温度制御システムと、前記チャンバと流体を連通させて、少なくとも酸素含有ガス、不活性ガス、およびエッチングガスを前記処理チャンバ内へ送達するガス源と、前記処理チャンバと流体を連通させて、前記酸素含有ガスおよび前記エッチングガスの少なくとも1つを付勢して、酸化プラズマおよびエッチングプラズマの少なくとも1つを形成するプラズマ源と、前記基板を前記第1の温度を上回る第2の温度まで加熱する熱源とを備える装置。

IPC (11件)：

H01L 21/306 , H01L 21/31 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/768 , H01L 21/321 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (9件)：

H01L21/302 105A , H01L21/31 C , H01L21/31 E , H01L21/302 101C , H01L29/58 G , H01L21/88 D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/88 C

Fターム (191件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD67 , 4M104DD71 , 4M104DD75 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104DD89 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF07 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB28 , 5F004BD07 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA14 , 5F004EA28 , 5F004EA37 , 5F004EB08 , 5F004FA08 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033HH04 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033MM18 , 5F033MM20 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ26 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ82 , 5F033QQ84 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR02 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033SS11 , 5F033SS25 , 5F033SS26 , 5F033SS27 , 5F033VV16 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW10 , 5F033XX03 , 5F033XX25 , 5F033XX28 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF02 , 5F045EF05 , 5F045EF09 , 5F045EF20 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F045EJ09 , 5F045EM05 , 5F045HA13 , 5F083EP03 , 5F083EP08 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP53 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA03 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA12 , 5F083GA22 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F083PR12 , 5F083PR14 , 5F083PR15 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F101BA15 , 5F101BA19 , 5F101BA23 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD13 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE07 , 5F101BF08 , 5F101BH03 , 5F101BH05 , 5F101BH06 , 5F101BH14 , 5F101BH15 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (10件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-111143 出願人：エルピーダメモリ株式会社
パターン形成方法、および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-347710 出願人：国立大学法人名古屋大学, 東京エレクトロン株式会社
処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-014348 出願人：東京エレクトロン株式会社

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