特許
J-GLOBAL ID：201503018314709195

磁気トンネル接合素子

発明者：
高橋 茂樹

高橋 茂樹 について

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園部 義明

園部 義明 について

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高梨 弘毅

高梨 弘毅 について


出願人/特許権者：
株式会社サムスン日本研究所

株式会社サムスン日本研究所 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-272159
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126218
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】MnGaとMgOとの格子歪みを緩和し得る磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】本発明は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、前記第1磁性層上の第1非磁性層と、前記第1非磁性層上の膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、を備え、前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方がMnGaであり、かつ、前記第1非磁性層に接する側に、ホイスラー合金からなる界面層を備え、前記界面層の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数が、前記第1非磁性層の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数と、前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数との間にあり、前記第1磁性層、前記第1非磁性層、前記第2磁性層および前記界面層を流れる電流によって、前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方並びに前記界面層の磁化方向が可変となる、磁気トンネル接合素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第1磁性層と、 前記第1磁性層上の第1非磁性層と、 前記第1非磁性層上の膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する第2磁性層と、を備え、 前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方がMnGaであり、かつ、前記第1非磁性層に接する側に、ホイスラー合金からなる界面層を備え、 前記界面層の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数が、前記第1非磁性層の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数と、前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方の膜面に平行方向のバルク状態での格子定数との間にあり、 前記第1磁性層、前記第1非磁性層、前記第2磁性層および前記界面層を流れる電流によって、前記第1磁性層および第2磁性層の少なくとも一方並びに前記界面層の磁化方向が可変となる、磁気トンネル接合素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  G11B 5/39
FI (5件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39
Fターム (29件)：
4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  5D034BA05 ,  5D034BA30 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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