特許
J-GLOBAL ID：201303036216846853

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
西森 理人

西森 理人 について

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多木 俊裕

多木 俊裕 について

, 
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-241703
公開番号（公開出願番号）：特開2013-098440
出願日： 2011年11月02日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
キャリアが形成される第1の化合物半導体層と、 前記第1の化合物半導体層の上方で、キャリアを供給する第2の化合物半導体層と、 前記第2の化合物半導体層の上方の第3の化合物半導体層と を有する化合物半導体積層構造を備えており、 前記第3の化合物半導体層は、そのキャリア濃度が前記第2の化合物半導体層のキャリア濃度よりも高い局所部位を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618F ,  H01L21/205
Fターム (97件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR11 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG36 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA25 ,  5F140AA29 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB12 ,  5F140BB13 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BH07 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK09 ,  5F140BK29 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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