特許
J-GLOBAL ID：201503018775910178

特定の結晶学的特徴を有するIII-V族基板材料および形成方法

発明者：
ジャン-ピエール、フォーリー

ジャン-ピエール、フォーリー について

, 
ベルナール、ボーモン

ベルナール、ボーモン について


出願人/特許権者：
サン-ゴバン、クリストー、エ、デテクトゥール

サン-ゴバン、クリストー、エ、デテクトゥール について


代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  中村 行孝 ,  反町 洋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-530388
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534531
出願日： 2013年09月05日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：
半導体材料を含むベース基板を提供すること、および13-15族材料を有する、ベース基板を覆う第1の半導体層を、ハイドライド気相成長(HVPE)を通じて形成することを含む、半導体基板を形成する方法であって、第1の半導体層が、N面配向を有する上面を有する方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板を形成する方法であって、 半導体材料を含んでなるベース基板を用意し、そして 13-15族材料を含んでなるベース基板を覆う第1の半導体層を、ハイドライド気相成長(HVPE)を通じて形成するに際し、前記第1の半導体層が、N面配向を有する上面を含んでなる、半導体基板を形成する方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  C23C16/01 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FG11 ,  4G077FG17 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030JA13 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP03 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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