特許
J-GLOBAL ID:201503018817980163
基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-531866
公開番号(公開出願番号):特表2015-529983
出願日: 2013年09月17日
公開日(公表日): 2015年10月08日
要約:
本発明の一実施形態によると、基板に対する工程が行われる基板処理装置において、上部が開放された形状を有し、一側壁に形成されて前記基板が出入する通路を有するメインチャンバーと、前記メインチャンバーの開放された上部に設置され、外部から遮断されて前記工程が行われる工程空間を形成するチャンバー蓋と、下部が開放された形状の内部空間を有し、前記基板が置かれるサセプタプレートと、前記内部空間に設置されて回転可能であり、前記サセプタプレートから離隔配置されて前記サセプタプレートを加熱するメインヒータと、を含む。
請求項(抜粋):
基板に対する工程が行われる基板処理装置において、
上部が開放された形状を有し、一側壁に設置されて前記基板が出入する通路を有するメインチャンバーと、
前記メインチャンバーの開放された上部に設置され、外部から遮断されて前記工程が行われる工程空間を形成するチャンバー蓋と、
下部が開放された形状の内部空間を有し、前記基板が置かれるサセプタプレートと、
前記内部空間に設置されて回転可能であり、前記サセプタプレートから離隔配置されて前記サセプタプレートを加熱するメインヒータと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, H01L 21/31
, C23C 16/46
FI (3件):
H01L21/205
, H01L21/31 B
, C23C16/46
Fターム (28件):
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030AA20
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030GA06
, 4K030KA08
, 4K030KA23
, 4K030KA25
, 4K030KA28
, 5F045AA01
, 5F045AA03
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EK07
, 5F045EK21
, 5F045EK23
, 5F045EN04
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
基板処理装置および基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-084590
出願人:株式会社日立国際電気
-
半導体製造方法および半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-152115
出願人:株式会社ニューフレアテクノロジー
-
化学気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-214115
出願人:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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審査官引用 (5件)
-
基板処理装置および基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-084590
出願人:株式会社日立国際電気
-
半導体製造方法および半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-152115
出願人:株式会社ニューフレアテクノロジー
-
化学気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-214115
出願人:菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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