特許
J-GLOBAL ID：200903038628686591

プラズマ成膜装置、熱処理装置及びプラズマ成膜方法並びに熱処理方法

発明者：
清水 正裕

清水 正裕 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070779
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260054
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 プラズマ成膜装置又は熱処理装置において、ガラス基板を高い加熱効率で加熱すること。【解決手段】 プラズマ成膜装置において、前記ガラス基板を加熱するための熱源と、この熱源及びガラス基板の間に介在し、その光吸収スペクトルの波長領域が二酸化珪素の光透過スペクトルの波長領域に重なる領域をもつ材質からなる二次輻射源と、を備えた加熱手段により、ガラス基板を加熱する。熱源からの光エネルギーは二次輻射源により二次輻射されてガラス基板に到達するが、これによりガラス基板が吸収しやすい発光波長の成分が多くなり、ガラス基板の高い加熱効率を確保することができる。こうしてこの成膜装置では、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、アモルファスシリコン膜の脱水素工程と、アモルファスシリコン膜のポリ化工程と、を行うことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理ガスに高周波エネルギーを供給してプラズマ化し、気密容器内の載置部に載置されたガラス基板上にプラズマにより成膜を行うプラズマ成膜装置において、 前記ガラス基板を加熱するための熱源と、この熱源及びガラス基板の間に介在し、その光吸収スペクトルの波長領域が二酸化珪素の光透過スペクトルの波長領域と重なる領域をもつ材質からなる二次輻射源と、を備えた加熱手段を設け、 前記熱源からの輻射熱が前記二次輻射源を通ってガラス基板に輻射され、前記 二次輻射源とガラス基板との間には二酸化珪素からなる部材が存在しないように構成したことを特徴とするプラズマ成膜装置。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/20
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/20
Fターム (25件)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045DP03 ,  5F045EK09 ,  5F045EK12 ,  5F045EK18 ,  5F045HA16 ,  5F052AA12 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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