半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-259602
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144265
出願日： 2014年12月23日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。または、非導通時の電流の小さいトランジスタを提供する。または、導通時の電流の大きいトランジスタを提供する。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。または、丈夫な半導体装置を提供する。【解決手段】シリコンを用いた第1のトランジスタと、第1のトランジスタ上の酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の酸化物半導体を用いた第2のトランジスタと、を有し、酸化物半導体は、シリコンよりも水素濃度が低い半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンを用いた第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタ上の酸化アルミニウム膜と、前記酸化アルミニウム膜上の酸化物半導体を用いた第2のトランジスタと、を有し、前記酸化物半導体は、前記シリコンよりも水素濃度が低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (7件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L27/08 102E , H01L27/08 321G , H01L27/10 321 , H01L27/10 671Z , H01L29/78 613Z

Fターム (139件)：

5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048BG11 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048DA23 , 5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ07 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN13 , 5F110NN15 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-205656 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-187704 出願人：松下電器産業株式会社
表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-190007 出願人：株式会社ジャパンディスプレイイースト

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