特許
J-GLOBAL ID：201203002207278045

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
石井 孝英

石井 孝英 について

, 
大島 宜浩

大島 宜浩 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-248399
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099757
出願日： 2010年11月05日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】保護膜(Al2O3)の膜質変化に起因するTFT特性のばらつきを軽減することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】TFT1の製造プロセスにおいて、ソース・ドレイン電極15上に、第1保護膜16(Al2O3層)とAl層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する。各層のスパッタリングでは、いずれもターゲットとしてアルミニウムを用いるが、Al2O3層の成膜過程では、反応ガスとして使用する酸素ガスによってターゲット表面が変質し易い。その後、連続してAl層を成膜する(酸素ガスを使用しないスパッタリングを行う)ことで、ターゲット表面が改質される(成膜処理の度に、ターゲット表面が改質される)。従って、成膜処理回数が増しても、保護膜における膜厚や屈折率が変化しにくい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜を間にしてゲート電極および酸化物半導体層が配置され、前記酸化物半導体層にソース・ドレイン電極が電気的に接続された構造を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、 前記ソース・ドレイン電極上、前記ゲート絶縁膜上または前記酸化物半導体層上に、保護膜としての酸化アルミニウム(Al2O3)層とアルミニウム(Al)層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する積層膜形成工程 を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 51/50
FI (8件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/90 L ,  H05B33/14 A
Fターム (93件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH20 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033SS02 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS26 ,  5F033TT01 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM17 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN13 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM