特許
J-GLOBAL ID:201503019472847216

平行平板型ドライエッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 日向寺 雅彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-049367
公開番号(公開出願番号):特開2014-175606
特許番号:特許第5798143号
出願日: 2013年03月12日
公開日(公表日): 2014年09月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 平板状の上面を有し被処理基板が平板状の上面に搭載される下部電極と、 前記下部電極の前記上面に対向する平板状の下面を有し、前記下面に複数のエッチングガス供給口を有する上部電極と、 前記下部電極と前記上部電極とを内部に含み、前記下部電極の前記上部電極とは反対側に前記エッチングガスを排出する排出口とを有する、反応室と、 前記反応室の側壁と前記下部電極の側壁との間隙の上部に環状に配置され、前記エッチングガスを通す複数の通気口を有し、前記被処理基板を囲む整流板と、 前記間隙内で前記整流板に対向して配置され、前記複数の通気口の一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮り、前記下部電極の前記上面に平行な第1の方向において前記下部電極を介して互いに対向する一対の遮蔽板と、 を備え、 前記遮蔽板は、前記一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮る面積を変更する手段を有し、 前記面積を変更する手段は、 前記遮蔽板の前記下部電極側の一端を前記下部電極の側壁に蝶番により固定し、 前記遮蔽板の前記一端と対向する他端を前記蝶番を支点として前記下部電極の上面に垂直な方向に可動させることにより提供される平行平板型ドライエッチング装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/302 101 B ,  H05H 1/46 M
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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