特許
J-GLOBAL ID:201003098225563620
プラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大山 浩明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-171948
公開番号(公開出願番号):特開2010-016021
出願日: 2008年07月01日
公開日(公表日): 2010年01月21日
要約:
【課題】処理室に形成された複数の排気口に排気の流れが集中することを防止し,処理室内の排気の流れを均一にする。【解決手段】処理室200内のプラズマ生成領域と処理室内を排気する排気経路を隔てるバッフル部350を設け,バッフル部は載置台300の周囲を囲むように離間して配置された上流側バッフル板と下流側バッフル板とからなり,各バッフル板にはそれぞれプラズマ生成領域と排気経路とを連通する複数の開口を形成し,下流側バッフル板360の開口は,各排気口208から遠ざかるほど幅が大きくなるようなスリット状開口364とした。【選択図】 図8A
請求項(抜粋):
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と,
前記処理室にプラズマを生起するための処理ガスを供給する処理ガス供給部と,
前記処理室内に設けられ,前記被処理基板を載置する載置台と,
前記処理室内のプラズマ生成領域と前記処理室内を排気する排気経路を隔てるバッフル部と,
前記排気経路において前記バッフル部よりも下流側に,前記載置台の周囲に配置された複数の排気口と,を備え,
前記バッフル部は,前記載置台の周囲を囲むように離間して配置された上流側バッフル板とこの上流側バッフル板の下流側に配置された下流側バッフル板とからなり,前記各バッフル板にはそれぞれ前記プラズマ生成領域と前記排気経路とを連通する複数の開口が形成され,少なくとも一方のバッフル板の各開口は前記各排気口の配置位置に応じて数と形状のいずれか一方又は両方を変えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 16/455
, C23C 16/509
FI (4件):
H01L21/302 101G
, H01L21/205
, C23C16/455
, C23C16/509
Fターム (18件):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA03
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045EF14
, 5F045EG02
, 5F045EH14
引用特許:
出願人引用 (2件)
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プラズマエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-168772
出願人:ソニー株式会社
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プラズマ生成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-196972
出願人:国際電気株式会社, 佐藤徳芳
審査官引用 (13件)
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プラズマ生成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-196972
出願人:国際電気株式会社, 佐藤徳芳
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-230208
出願人:国際電気株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-223898
出願人:国際電気株式会社
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特開昭62-098727
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特開昭62-098727
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特開昭63-004615
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特開昭63-004615
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-241264
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-227259
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-121214
出願人:東京エレクトロン株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-282364
出願人:株式会社ユーテック
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-091633
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマエッチング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-168772
出願人:ソニー株式会社
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