特許
J-GLOBAL ID：201303065374402989

エンハンスメントモードIII-窒化物デバイスおよびその製造方法

発明者：
ステファーン・デカウテレ

ステファーン・デカウテレ について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-255221
公開番号（公開出願番号）：特開2013-123047
出願日： 2012年11月21日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：
【課題】エンハンスメントモードIII-窒化物HEMTデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】それぞれの層がIII-窒化物材料を含む、基板上の層のスタック201’と、III窒化物層の上層203を覆い、これと接続する高温シリコン窒化物を含むパッシベーション層301とを含む基板を提供する工程であって、HTシリコン窒化物はMOCVDまたはLPVCDまたは他の均等な技術により、450°Cより高い温度で形成される工程と、ゲート領域のみにおいて、パッシベーション層を除去することにより、リセスゲート領域を形成し、これにより下にある上層203を露出させる工程と、少なくともリセスゲート領域の中にpドープGaN層302を形成して、これによりリセスゲート領域を少なくとも部分的に充填する工程と、ゲートコンタクトおよびソース/ドレインコンタクトを形成する工程と、を含む方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
エンハンスメントモードIII-窒化物HEMTの製造方法であって、 a.それぞれの層がIII-窒化物材料を含む、基板上の層のスタックと、III窒化物層の上層(203、204)を覆い、これと接続する高温(HT)シリコン窒化物を含むパッシベーション層(301)と、を含む基板(101)を提供する工程であって、HTシリコン窒化物はMOCVDまたはLPVCDまたは他の均等な技術により、450°Cより高い温度、より好適には550°Cより高い温度、更に好適には700°Cより高い温度で形成される工程と、 b.ゲート領域のみにおいて、パッシベーション層を実質的に完全に除去することにより、リセスゲート領域を形成し、これにより下にある上層を露出させる工程と、 c.少なくともリセスゲート領域の中にpドープGaN層を形成して、これによりリセスゲート領域を少なくとも部分的に充填する工程と、 d.ゲート領域中にゲートコンタクトを形成し、パッシベーション層を通るソース/ドレインコンタクトを形成する工程と、を含む製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/318 B
Fターム (26件)：
5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BJ03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT06 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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