特許

J-GLOBAL ID：201503019637381462

シリコン基板

発明者： 森田 瑞穂 ,  川合 健太郎 ,  打越 純一 ,  足達 健二 ,  永井 隆文
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  ダイキン工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039957
公開番号（公開出願番号）：特開2015-165526
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：

【課題】種々の反射防止機能を有する表面形状を有するシリコン基板を自在に且つ簡便に形成できる方法及びそれにより得られるシリコン基板を提供する。【解決手段】少なくとも片面に、以下の(A)〜(F):(A)上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(B)上下方向に伸びる溝が形成された側面と、三角形状の痕が形成された側面とを有する、略逆ピラミッド形状の凹部、(C)三角形状の痕が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(D)逆ピラミッド形状の孔及び上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(E)底面が5以上の多角形である逆多角錐形状の凹部、(F)平均直径が1〜10μmであり、且つ、大きさがランダムである逆ピラミッド形状の凹部の少なくとも1つが形成された、シリコン基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも片面に、 (A)上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部 が形成された、シリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 31/023 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L31/04 280 ,  H01L21/306 B ,  H01L21/308 B

Fターム (10件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• テクスチャ形成面を有するシリコン基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-088251   出願人：パナソニック株式会社
• マイクロデバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265900   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (5件)

• Differences in etching characteristics of TMAH and KOH on preparing inverted pyramids for silicon ce
• Large-area multicrystalline silicon solar cell fabrication using reactive ion etching (RIE)
• Wideband anti-reflective micro/nano dual-scale structures: fabrication and optical properties
• Large-area multicrystalline silicon solar cell fabrication using reactive ion etching (RIE)
• Wideband anti-reflective micro/nano dual-scale structures: fabrication and optical properties