特許
J-GLOBAL ID：201503020123297134
p型ZnOの作製方法、ZnOエレクトロルミネッセンス半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安彦 元
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008332
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149441
特許番号：特許第5823304号
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n型ZnO基板で構成したn層と、上記n型ZnO基板に窒素をp型ドーパントとしてインプラントした擬似p層とを形成し、
順方向バイアス電圧を印加することにより上記n層及び上記擬似p層に拡散電流を発生させ、
上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記擬似p層にインプラントした窒素のドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により上記活性層における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、
上記変化後の窒素のドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させ、上記擬似p層中の窒素のドーパント分布を固定させて当該擬似p層をp型ZnOとして構成すること
を特徴とするp型ZnOの作製方法。
IPC (3件)：
H05B 33/18 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
, H05B 33/10 ( 200 6.01)
H05B 33/18
, H05B 33/14 Z
, H05B 33/10
