特許

J-GLOBAL ID：201503020583332540

半導体装置

発明者： 塚本 恵介
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-031729
公開番号（公開出願番号）：特開2015-133504
出願日： 2015年02月20日
公開日（公表日）： 2015年07月23日
要約：

【課題】隣接するビット線同士の短絡が抑制されており、かつ層間絶縁膜が平坦に研磨された半導体装置を提供する。【解決手段】抵抗記録素子RMが複数配置されたメモリセル領域と、平面視においてメモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える。抵抗記録素子RMは、第1の金属電極MO1と絶縁膜ISと第2の金属電極MO2とを含んでいる。抵抗記録素子RMの上方には、主表面に沿った方向に向けて延びる複数の第1の配線BLを有している。上記周辺回路領域には、第1の配線BLと同一レイヤにより構成される第2の配線BL2と平面視において重なるように、第1の金属電極MO1と同一材質の層、絶縁膜ISと同一材質の層および第2の金属電極MO2と同一材質の層が積層された積層構造DMMが配置されている。積層構造DMMは、周辺回路領域にて平面視において隣接する1対の第2の配線BL2の両方と重ならない。【選択図】図39

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の前記主表面上に形成された、電圧の印加に応じて電気抵抗が変化する、抵抗記録素子が複数配置されたメモリセル領域と、 前記抵抗記録素子と同一レイヤに配置される層間絶縁膜と、 平面視において前記メモリセル領域の周囲に配置された周辺回路領域とを備える半導体装置であり、 前記抵抗記録素子は、第1の金属電極と、絶縁膜と、第2の金属電極とがこの順で積層された構成を含んでおり、 前記抵抗記録素子の上方には、前記主表面に沿った方向に向けて延び、前記抵抗記録素子の上面に接続された複数の第1の配線を有しており、 前記周辺回路領域には、前記第1の配線と同一レイヤにより構成される第2の配線と平面視において重なるように、前記抵抗記録素子を構成する前記第1の金属電極と同一材質の層、前記絶縁膜と同一材質の層および前記第2の金属電極と同一材質の層が積層された積層構造が配置されており、 前記積層構造は、前記周辺回路領域にて平面視において隣接する1対の前記第2の配線の両方と重ならないように配置される、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (7件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (57件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF18 ,  4M119FF19 ,  4M119GG02 ,  4M119GG05 ,  4M119JJ15 ,  4M119KK03 ,  4M119KK12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA28 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-072216   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-269771   出願人：株式会社東芝
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-161467   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-301491   出願人：株式会社ルネサステクノロジ