特許
J-GLOBAL ID：200903075971371353
磁気記憶装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006713
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】パターン被覆率の異なる領域で同時にエッチバックを行った際に生じるエッチング量の差を抑制する。【解決手段】磁気記憶装置は、メモリセル部と、このメモリセル部近傍に位置する周辺回路部と、メモリセル部に配置され、記憶素子として機能する複数の第1の磁気抵抗効果素子14aと、周辺回路部の少なくとも一部に配置され、ダミーである複数の第2の磁気抵抗効果素子14bとを具備し、第2の磁気抵抗効果素子14bの占有する面積の合計は、周辺回路部の5%乃至80%である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
メモリセル部と、
前記メモリセル部近傍に位置する周辺回路部と、
前記メモリセル部に配置され、記憶素子として機能する複数の第1の磁気抵抗効果素子と、
前記周辺回路部の少なくとも一部に配置され、ダミーである複数の第2の磁気抵抗効果素子と
を具備し、
前記第2の磁気抵抗効果素子の占有する面積の合計は、前記周辺回路部の5%乃至80%であることを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR40
, 5F083ZA28
