太陽電池

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-139463
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015271
出願日： 2013年07月03日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いた太陽電池で、太陽光エネルギーから電気エネルギーへの変換が高い効率で行えるようにする。【解決手段】主表面をC面として形成されたノンドープの窒化物半導体から構成された光吸収層101と、光吸収層101に接続する第1電極102および第2電極103とを備える。光吸収層101は、例えば、対象とする波長に合わせて組成が調整されたInGaNやInGaAlNから構成されていればよい。例えば、バンドギャップエネルギーが2eVとされたInGaAlNから光吸収層101を構成すればよい。また、第1電極102および第2電極103の少なくとも1つは光吸収層101に接して形成され、なくとも第1電極102および第2電極103の一方が、太陽光が透過する状態とされていればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主表面をC面として形成された窒化物半導体から構成された光吸収層と、前記光吸収層に接続する第1電極および第2電極とを備え、前記第1電極および前記第2電極の少なくとも1つは前記光吸収層に接して形成されていることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA08 , 5F151CB10 , 5F151DA13 , 5F151DA16 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-030916 出願人：パナソニック株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-049955 出願人：日本電信電話株式会社
タンデム太陽電池セルおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-223855 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る