半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-049955
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186410
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。【解決手段】この半導体素子は、n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層101と、第1半導体層101とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第1半導体層101の上に形成された第2半導体層102と、第2半導体層102とは格子定数が異なるn型の窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第2半導体層102の上に形成された第3半導体層103とを少なくとも備える。また、第2半導体層102は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第1半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係と、第3半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層と、前記第1半導体層とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて前記第1半導体層の上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層とは格子定数が異なるn型の窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて前記第2半導体層の上に形成された第3半導体層とを少なくとも備え、前記第2半導体層は、臨界膜厚より薄く形成され、前記第1半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係と、前記第3半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/32 , G02F 1/025 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L33/00 186 , G02F1/025 , H01L31/04 E

Fターム (23件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA03 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079DA25 , 2H079EA05 , 2H079EA07 , 5F041AA21 , 5F041CA08 , 5F041CA40 , 5F041CA98 , 5F041CB36 , 5F141AA21 , 5F141CA08 , 5F141CA40 , 5F141CA98 , 5F141CB36 , 5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151CB12

引用特許：

審査官引用 (7件)

受光装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-196486 出願人：株式会社豊田中央研究所, 学校法人トヨタ学園
整流ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-000982 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-328189 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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