ワイドバンドギャップ半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-160608
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032664
出願日： 2013年08月01日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

【課題】サイズを大きくすることなく、高耐圧化することができるワイドバンドギャップ半導体装置を提供する。【解決手段】主面(上部表面P2)を有し、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体基板(エピタキシャル基板20)を備え、半導体基板20は、半導体基板20に形成されたデバイス領域20Eと、デバイス領域20Eを囲むように形成された周辺領域20Tとを含む。周辺領域20Tにおいて、半導体基板20は、第1の導電型を有する第1の半導体領域(ドリフト層21)と、第1の半導体領域(ドリフト層21)上に形成され、主面P2を有し、第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第2の半導体領域(電界緩和領域25)とを含み、第2の半導体領域(電界緩和領域25)の主面P2には、デバイス領域20Eを環状に囲む複数の溝70が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面を有し、ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体基板を備え、前記半導体基板は、前記半導体基板に形成されたデバイス領域と、前記デバイス領域を囲むように形成された周辺領域とを含み、前記周辺領域において、前記半導体基板は、第1の導電型を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に形成され、前記主面を有し、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有する第2の半導体領域とを含み、前記第2の半導体領域の前記主面には、前記デバイス領域を環状に囲む複数の周辺領域用溝が形成されている、ワイドバンドギャップ半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 652M , H01L29/78 658G

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-071335 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-143912 出願人：三菱電機株式会社
高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237511 出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所

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