特許
J-GLOBAL ID：201503022609373977
太陽電池用基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池田 治幸
, 池田 光治郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-130021
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005621
出願日： 2013年06月20日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：
【課題】 太陽電池の製造工程を複雑化することなく電流の損失抑制および電圧増大を両立させ得るシリコン基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板の一面から燐を拡散して太陽電池用基板を製造するに際して、オキシ塩化燐溶液中に窒素ガスが1000(ml/min)以下の少ない流量で供給されてドープ用混合ガスが得られる。そのため、加熱炉内に導入されるドープ用混合ガス中のオキシ塩化燐濃度が薄くなることから、基板表面に堆積されるPSG層が比較的薄くなって、基板表面の燐濃度の最大値を低くすることができるので、熱処理時間を長くして拡散深さを深くし、平均濃度1.0〜4.0×1020(個/cm3)、50(nm)深さにおける濃度0.10〜1.6×1020(個/cm3)、シート抵抗70〜120(Ω/□)を容易に実現できる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
p型シリコン基板の一面側に燐の拡散によりn層が形成された太陽電池用基板であって、
前記一面におけるシート抵抗が50〜120(Ω/□)の範囲内にあり、且つ、前記n層の燐濃度は、前記一面から50(nm)深さまでの範囲の最大値が8×1020(個/cm3)以下、且つ、平均値が1.0×1020(個/cm3)以上、且つ、その50(nm)深さにおける値が1.6×1020(個/cm3)以下であることを特徴とする太陽電池用基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F151AA03
, 5F151CB20
, 5F151DA03
