特許
J-GLOBAL ID：201103094723691379
太陽電池の製造方法および太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-282798
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124486
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】簡便かつ安定的に所望の形状のエミッタ層を有する太陽電池を製造する太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】エミッタ層が形成された半導体基板と、エミッタ層に接触する電極とを有する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の少なくとも一方の表面から内部に向けての領域の少なくとも一部に、エミッタ層を形成する工程と、エミッタ層上の少なくとも一部に保護マスクを形成する工程と、保護マスクが形成された状態で、エミッタ層を水および酸溶液のそれぞれに接触させてエッチングする工程と、エッチング後に、エミッタ層から保護マスクを除去する工程と、エミッタ層のうちの保護マスクが除去された部分に電極を形成する工程と、を含む太陽電池の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エミッタ層が形成された半導体基板と、前記エミッタ層に接触する電極とを有する太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の少なくとも一方の表面から内部に向けての領域の少なくとも一部に、前記エミッタ層を形成する工程と、
前記エミッタ層上の少なくとも一部に保護マスクを形成する工程と、
前記保護マスクが形成された状態で、前記エミッタ層を水および酸溶液のそれぞれに接触させてエッチングする工程と、
エッチング後に、前記エミッタ層から前記保護マスクを除去する工程と、
前記エミッタ層のうちの前記保護マスクが除去された部分に前記電極を形成する工程と、を含む太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5F051GA14
, 5F051HA03
, 5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151DA03
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F151GA14
, 5F151HA03
