特許
J-GLOBAL ID：201503026774161866
フォトマスクの欠陥修正方法、欠陥修正装置およびフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-166210
公開番号（公開出願番号）：特開2015-034909
出願日： 2013年08月09日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
要約：
【課題】フォトマスクの黒欠陥の欠陥修正時におけるエッチングの終点を正確に見極めることにより、サイドエッチングやガラスのオーバーエッチングを最小限に抑制するため、欠陥修正処理の終点を正確に把握する欠陥修正方法と欠陥修正装置を提供すること。【解決手段】フォトマスク基板の表面に残存する余剰膜からなる黒欠陥部分にアシストガスを吹き付けながら集束イオンビームまたは電子ビームを照射して、黒欠陥部分をガスアシストエッチングすることにより除去する際、前記エッチングと並行して、黒欠陥部分にレーザー光を照射し、フォトマスク基板からの反射光の強度を計測し、前記反射光の強度を経過時間に対してプロットする計測工程と、前記計測工程で得られた前記反射光強度の増減傾向から前記欠陥部のエッチング除去が完了したことを判定する判定工程とからなる欠陥修正方法であって、レーザー光の入射,反射,透過角度と、波長を適切に選定する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
フォトマスクのパターン形成時に発生する、膜の除去が不完全で不要なパターンが余剰に存在する黒欠陥と称される状態を解消するための欠陥修正方法において、
フォトマスク基板の表面に残存する余剰膜である黒欠陥部分にアシストガスを吹き付けながら集束イオンビームまたは電子ビームを照射して、黒欠陥部分をガスアシストエッチングすることにより除去する際、
前記エッチングと並行して、黒欠陥部分にレーザー光を照射し、フォトマスク基板からの反射光の強度を計測し、前記反射光の強度を経過時間に対してプロットする計測工程と、
前記計測工程で得られた前記反射光強度の増減傾向から前記欠陥部のエッチング除去が完了したことを判定する判定工程を具備し、
照射するレーザー光は、波長200nm未満の真空紫外線領域のレーザー光であり、
レーザー光の照射角度は45°以下であり、かつ、黒欠陥部分の存在する領域に入射するレーザー光および前記領域から反射するレーザー光が、前記領域周囲に存在する非欠陥部の膜材質による干渉を受けない範囲の角度であることを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H095BB30
, 2H095BD04
, 2H095BD05
, 2H095BD13
, 2H095BD32
, 2H095BD35
, 2H095BD36
