特許
J-GLOBAL ID：201503033749303920

トランジスタ、クロックドインバータ回路、順序回路、および順序回路を備えた半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
片山 雅博

片山 雅博 について

, 
岡崎 健一

岡崎 健一 について

, 
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-184762
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079949
出願日： 2014年09月11日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
要約：
【課題】電気特性(例えば、オン電流、電界効果移動度、周波数特性等)の優れたトランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層、第1、第2のゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を有する。第1、第2のゲート電極は、酸化物半導体層を間に挟んで設けられている。酸化物半導体層は、ソース電極、ドレイン電極に接する一対の側面を有し、また、ソース電極およびドレイン電極を挟まずに、第1、第2のゲート電極により、囲まれている領域を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、 第1、第2のゲート電極と、 第1、第2の絶縁層と、 ソース電極と、 ドレイン電極と、 を有し、 前記第1のゲート電極は、前記第1の絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と対向し、 前記第2のゲート電極は、前記第2の絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と対向し、かつ、前記第1、第2の絶縁層に設けられた少なくとも1つの第1の開口において第1のゲート電極に接しており、 前記酸化物半導体層は、 前記ソース電極、前記ドレイン電極に接する第1、第2の側面と、 前記第1、前記第2のゲート電極に囲まれている領域と、 を有することを特徴とするトランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H03K 19/096 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30
FI (11件)：
H01L29/78 617N ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 617K ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102H ,  H03K19/096 A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338
Fターム (150件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192CB42 ,  2H192CB52 ,  2H192CB83 ,  2H192CC02 ,  2H192DA12 ,  2H192EA43 ,  2H192EA74 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192FB33 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104EE05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG08 ,  4M104HH16 ,  5C094AA23 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BD02 ,  5F048BF04 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5J056AA03 ,  5J056BB02 ,  5J056BB21 ,  5J056CC14 ,  5J056DD27 ,  5J056EE04 ,  5J056KK02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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