電気化学的検出用途向き合成ダイヤモンド材料

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 弟子丸健 , 井野砂里 , 松下満 , 倉澤伊知郎 , 渡邊誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-561441
公開番号（公開出願番号）：特表2015-518137
出願日： 2013年03月13日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

次の特徴を有するボロンドープ合成ダイヤモンド材料であって、脱イオン水及び支持電解質としての0.1MのKNO3だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対してボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープすることによって測定された以下の基準のうちの一方又は両方を満たす溶剤窓を有し、これら基準は、溶剤窓が少なくとも4.1Vの電位範囲にわたって延び、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が38mA・cm-2に達したときに溶剤窓に関する電位範囲の端点が定められること及び溶剤窓が少なくとも3.3Vの電位範囲にわたって延び、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が0.4mA・cm-2に達したときに溶剤窓に関する電位範囲の端点が定められることであり、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料は、脱イオン水、0.1MのKNO3支持電解質及び1mMのFcTMA+又はRu(NH3)363+だけを含むpH6の溶液中の飽和カロメル基準電極に対してボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位を100mVs-1の速度でスイープすることによって測定された70mV以下のピークピーク間隔ΔEp(マクロ電極に関して)又は四分位電位ΔE3/4-1/4(ミクロ電極に関して)と、脱イオン水及び0.1MのKNO3支持電解質だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して70mV〜-70mVのボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープし、合成電流を測定し、負の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値を正の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値から減算し、減算結果の電流値を2で除算し、次に除算結果をボロンドープ合成ダイヤモンド材料の面積(cm2)及び電位のスイープ速度(Vs-1で除算してFcm-2で表されるキャパシタンスの値を出すことによって測定された10μFcm-2以下のキャパシタンスとを更に有することを特徴とするボロンドープ合成ダイヤモンド材料。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

次の特徴を有するボロンドープ合成ダイヤモンド材料であって、脱イオン水及び支持電解質としての0.1MのKNO3だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープすることによって測定された以下の基準のうちの一方又は両方を満たす溶剤窓を有し、前記基準は、前記溶剤窓が少なくとも4.1Vの電位範囲にわたって延び、前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が38mA・cm-2に達したときに前記溶剤窓に関する前記電位範囲の端点が定められること、及び前記溶剤窓が少なくとも3.3Vの電位範囲にわたって延び、前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料のところで測定された陽極及び陰極電流密度が0.4mA・cm-2に達したときに前記溶剤窓に関する前記電位範囲の端点が定められることであり、脱イオン水、0.1MのKNO3支持電解質及び1mMのFcTMA+又はRu(NH3)63+だけを含むpH6の溶液中の飽和カロメル基準電極に対して前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位を100mVs-1の速度でスイープすることによって測定された70mV以下のピークピーク間隔ΔEp(マクロ電極に関して)又は四分位電位ΔE3/4-1/4(ミクロ電極に関して)を有し、脱イオン水及び0.1MのKNO3支持電解質だけを含むpH6の溶液中で飽和カロメル基準電極に対して70mV〜-70mVの前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の電位をスイープし、合成電流を測定し、負の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値を正の電位に向かってスイープしたときの0Vでの電流値から減算し、減算結果の電流値を2で除算し、次に除算結果を前記ボロンドープ合成ダイヤモンド材料の面積(cm2)及び前記電位のスイープ速度(Vs-1)で除算してFcm-2で表されるキャパシタンスの値を出すことによって測定された10μFcm-2以下のキャパシタンスを有する、ボロンドープ合成ダイヤモンド材料。

IPC (4件)：

G01N 27/30 , G01N 27/416 , C01B 31/06 , G01N 27/48

FI (4件)：

G01N27/30 B , G01N27/46 301G , C01B31/06 Z , G01N27/48 Z

Fターム (19件)：

4G146AA04 , 4G146AA17 , 4G146AB07 , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AC27A , 4G146AC27B , 4G146AC30A , 4G146AC30B , 4G146AD01 , 4G146AD06 , 4G146AD23 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC25 , 4G146BC27 , 4G146BC45

引用特許：

審査官引用 (4件)

高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-546058 出願人：エレメントシックスリミテッド
ホウ素ドープダイヤモンド
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-526549 出願人：ザユニバーシティオブワーウィック
ダイアモンドを基にして得られた電極を活性化するプロセス及びそれらの使用
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-510813 出願人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ

全件表示

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る