特許
J-GLOBAL ID：201003009852131172

高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料

発明者：
スカーズブルック、ジェフリー アラン

スカーズブルック、ジェフリー アラン について


出願人/特許権者：
エレメント シックス リミテッド

エレメント シックス リミテッド について


代理人 (6件)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  浅野 裕一郎 ,  安藤 克則 ,  上村 陽一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-546058
公開番号（公開出願番号）：特表2010-516600
出願日： 2008年01月22日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
本発明は、第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層とを有するダイヤモンド材料において、前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料に関する。
請求項（抜粋）：
第1の表面を有するホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの基体層と、前記第1の表面の上にホウ素ドープト単結晶ダイヤモンドの導電性層を有するダイヤモンド材料において、 前記導電性層中のホウ素の分布が、前記基体層中のホウ素の分布に比べてより一様である、ダイヤモンド材料。
IPC (8件)：
C30B 29/04 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/02 ,  H01B 1/04 ,  H01M 4/583 ,  H01M 4/04 ,  G01N 27/30
FI (8件)：
C30B29/04 P ,  C30B25/20 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  H01B1/04 ,  H01M4/58 102 ,  H01M4/04 101Z ,  G01N27/30 B
Fターム (40件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA05 ,  4G077TK02 ,  4G077TK06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA02 ,  4K030JA01 ,  5G301BA01 ,  5H050AA19 ,  5H050BA00 ,  5H050CA16 ,  5H050CB09 ,  5H050DA04 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA16 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA03 ,  5H050HA04 ,  5H050HA08 ,  5H050HA10 ,  5H050HA17
引用特許：
審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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