特許
J-GLOBAL ID：201503039272956452
電子デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 竹本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-251726
公開番号（公開出願番号）：特開2015-108735
出願日： 2013年12月05日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：
【課題】レーザ光照射による電子デバイス用部材の損傷を抑えつつ、ガラス基板と無機層との剥離性を向上させた、電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】無機層14を有する無機層付き支持基板16と、無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板18と、を有するガラス積層体10を得る、ガラス積層体製造工程と、ガラス基板の表面上に、電子デバイス用部材付き積層体22を得る、部材形成工程と、無機層の周縁部の一部または全部のみを、レーザ光41の照射により除去し、無機層の除去部位を形成する、照射工程と、電子デバイス用部材付き積層体から無機層付き支持基板を、除去部位を剥離起点として剥離し、ガラス基板および電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る、分離工程と、を備え、無機層の周縁部は、ガラス基板の表面上における電子デバイス用部材の非形成領域に対応する、電子デバイスの製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ガラス板である支持基板および前記支持基板上に配置された無機層を有する無機層付き支持基板と、前記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を有するガラス積層体を得る、ガラス積層体製造工程と、
前記ガラス積層体中の前記ガラス基板の表面上に、電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る、部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体中の前記無機層の周縁部の一部または全部のみを、レーザ光の照射により除去し、前記無機層の除去部位を形成する、照射工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記無機層付き支持基板を、前記除去部位を剥離起点として剥離し、前記ガラス基板および前記電子デバイス用部材を有する電子デバイスを得る、分離工程と、
を備え、
前記無機層の周縁部は、前記ガラス基板の表面上における前記電子デバイス用部材の非形成領域に対応する、電子デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
G09F 9/00
, G02F 1/133
, B32B 9/04
, B32B 7/06
G09F9/00 338
, G02F1/1333 500
, B32B9/04
, B32B7/06
2H190JB02
, 2H190JC07
, 2H190LA04
, 2H190LA15
, 4F100AA01B
, 4F100AD05
, 4F100AG00
, 4F100AG00A
, 4F100AG00C
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100EJ52
, 4F100EJ52B
, 4F100GB41
, 4F100JL14B
, 4F100JL14C
, 5G435AA14
, 5G435AA17
, 5G435KK05
