特許
J-GLOBAL ID：201303054121017963

フレキシブルデバイスの製造方法

発明者：
田中 裕司

田中 裕司 について

, 
奥本 健二

奥本 健二 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-286397
公開番号（公開出願番号）：特開2013-135181
出願日： 2011年12月27日
公開日（公表日）： 2013年07月08日
要約：
【課題】支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、レーザー光照射による電子素子の損傷を抑制する。【解決手段】支持基板13上に接着層14を形成する接着層工程と、支持基板13上にフレキシブルフィルム11を形成するフレキシブルフィルム形成工程と、フレキシブルフィルム11上に電子素子12を形成する電子素子形成工程と、接着層14にレーザー光15を照射することにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11とを分離する分離工程とを含み、接着層形成工程において、接着層14は電子素子12の形成が予定された領域(Y)に対応する支持基板13上の領域外の周縁領域に形成され、フレキシブルフィルム形成工程において、フレキシブルフィルム11は接着層14が形成された領域よりも広範に形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持基板上に接着層を形成する接着層形成工程と、 前記接着層が形成された支持基板上にフレキシブルフィルムを形成するフレキシブルフィルム形成工程と、 前記フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する電子素子形成工程と、 前記接着層にレーザー光を照射し、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとの間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとを分離する分離工程と、を含み、 前記接着層形成工程において、前記接着層は、前記電子素子の形成が予定された領域に対応する前記支持基板上の領域外の周縁領域に形成され、 前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは前記接着層が形成された領域よりも広範に形成される、 フレキシブルデバイスの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02
FI (7件)：
H01L29/78 626C ,  H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/02
Fターム (28件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107FF01 ,  3K107FF15 ,  3K107GG06 ,  3K107GG12 ,  3K107GG14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM