特許
J-GLOBAL ID：201303062593283830

半導体装置及びその作製方法

発明者：
横井 智和

横井 智和 について

, 
山根 靖正

山根 靖正 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-125602
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016785
出願日： 2012年06月01日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む結晶性酸化物半導体層と、 前記チャネル形成領域上に設けられたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極と、を有し、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、窒素を含む結晶性領域である半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/146 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136
FI (8件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/14 C ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368
Fターム (177件)：
2H092GA29 ,  2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB61 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KA24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA28 ,  2H092QA07 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR15 ,  5F083PR22 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F101BH06 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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