半導体装置および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-268344
公開番号（公開出願番号）：特開2015-029038
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：

【課題】従来に比べて、ソースおよび/またはドレイン電極と、半導体層との間の接触抵抗が有意に抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および半導体層を有する半導体装置であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の片方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を有することを特徴とする半導体装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極および半導体層を有する半導体装置であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の片方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/50 , H05B 33/26 , H05B 33/02

FI (10件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616K , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L21/28 A , H05B33/14 A , H05B33/26 Z , H05B33/02

Fターム (73件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB08 , 3K107CC11 , 3K107CC31 , 3K107DD46Y , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD28 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN71 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (5件)

有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-142353 出願人：松下電器産業株式会社
電気伝導性を有するC12A7系酸化物融液又はガラス材料及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-179866 出願人：国立大学法人東京工業大学
薄膜トランジスタ及びそれを備える平板表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-048292 出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

“酸化物TFT駆動有機EL用電子注入層物質:アモルファスC12A12エレクトライド”

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