特許
J-GLOBAL ID：201003099058586873

C12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法

発明者：
細野 秀雄

細野 秀雄 について

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松石 聡

松石 聡 について

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戸田 喜丈

戸田 喜丈 について

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金 聖雄

金 聖雄 について

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平野 正浩

平野 正浩 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208753
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045228
出願日： 2008年08月13日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】冷電子放出源や有機EL等の素子へC12A7エレクトライドを応用するために、大気中でも界面が劣化することが少ない、オーミック表面を形成すること。【解決手段】12CaO・7Al2O3エレクトライドを導電性素子材料として、その表面に金属を蒸着してオーミック接合を形成する方法において、該素子材料表面をリン酸処理して改質した後、該素子材料表面に金属を蒸着することによって、該素子材料表面と該金属との界面の接触抵抗を0.5Ω・cm2未満とすることを特徴とするC12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
12CaO・7Al2O3エレクトライドを導電性素子材料として、その表面に金属を蒸 着してオーミック接合を形成する方法において、 該素子材料表面をリン酸処理して改質した後、該素子材料表面に金属を蒸着することによ って、該素子材料表面と該金属との界面の接触抵抗を0.5Ω・cm2未満とすることを 特徴とするC12A7エレクトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接 合形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01J 9/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H01L 37/00
FI (6件)：
H01L21/28 A ,  H01J9/02 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L37/00 ,  H01J9/02 F
Fターム (29件)：
3K107AA01 ,  3K107CC11 ,  3K107DD26 ,  3K107DD29 ,  3K107DD44Y ,  3K107DD46Y ,  3K107FF00 ,  3K107FF14 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  4G076AA02 ,  4G076AA18 ,  4G076AB01 ,  4G076AB16 ,  4G076BA17 ,  4G076BF03 ,  4G076BF05 ,  4G076BG01 ,  4G076CA02 ,  4G076CA10 ,  4G076CA11 ,  4G076CA34 ,  4G076DA04 ,  4G076DA30 ,  4M104AA10 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104HH15 ,  5C027AA01
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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