特許
J-GLOBAL ID：201503046113875049
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-214466
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007429
特許番号：特許第5701958号
出願日： 2013年10月15日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を収容する収容室と、
該収容室内に配置され前記基板を載置する下部電極と、
プラズマを生成するために前記収容室内へ高周波電力を印加する第1の高周波印加部と、
バイアスのために前記下部電極へ高周波電力を印加する第2の高周波印加部と、
所定のタイミングで前記第1の高周波印加部の出力を変更して間欠的にプラズマの生成を変化させるように前記第1の高周波印加部を制御し、前記第1の高周波印加部がプラズマを生成するために出力を印加する第1の期間において、前記第1の期間を通じて前記第2の高周波印加部の出力が複数のパルスで出力を印加すべく、プラズマを生成するために前記第1の高周波印加部が出力を印加する間において、バイアスのための高周波電力を前記下部電極へ印加する前記第2の高周波印加部を制御し、前記第1の高周波印加部の制御によって前記収容室内においてプラズマが無い状態、若しくはアフターグロー状態が生じた第2の期間において、前記複数のパルスにしたがわずに前記第2の高周波印加部の出力がオフ状態になる、若しくは、前記第1の高周波印加部の出力が設定出力にある場合の前記第2の高周波印加部の出力よりも垂下するように制御すべく、前記第2の高周波印加部を制御する制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 B
, H05H 1/46 M
