プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062493
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260352
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】制御性良く、狭いイオンエネルギー分布を得て、プラズマ処理の選択性等を向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室10と、この真空処理室内で処理される試料40を配置するための試料台15と、高周波電源16を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、一対の平行平板電極12,15と、試料40を静電吸着力によって試料台に保持する静電吸着手段20,22,23と、試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段17とを備え、高周波電源16として20MHz〜500MHzの高周波電源を印加するとともに、真空ポンプ18で真空処理室10を5mTorr〜40mTorrに減圧する。

請求項（抜粋）：

真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、プラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段と、前記真空処理室に、ラジカル発生用ガスを予め分解する手段を有し所望量のラジカルを供給するラジカル供給手段と、前記真空処理室にイオン発生用ガスを供給する手段と、前記真空処理室にプラズマを発生させるプラズマ生成手段とを具備し、前記試料としてSiO2を用いることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C23F 4/00 C , H01L 21/68 R , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体ウェハ吸着ステージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097081 出願人：株式会社セル・コーポレーション, 高橋昭男
プラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035906 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-179733

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