プラズマCVD装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大貫敏史 , 江口昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-235795
公開番号（公開出願番号）：特開2015-094022
出願日： 2013年11月14日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

【課題】成膜室に設けられる電極に汚れが付着することを抑制することができるプラズマCVD装置を提供すること。【解決手段】このプラズマCVD装置1は、成膜室10内のワーク20に給電を行う電源部103と、ワーク20と電源部103とを接続する継電部101と、電源部103の一端側と継電部101との接続部201の周辺を覆うパイプ状の絶縁ケース102と、成膜室10外に設けられる不活性ガス供給手段160と、を備え、不活性ガス供給手段160は、電源部103の他端側から不活性ガスを絶縁ケース102の内部に導入して接続部201の周辺に送り込むことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜室内のワークに給電を行う電源部と、前記ワークと前記電源部とを接続する継電部と、前記電源部の一端側と前記継電部との接続部の周辺を覆うパイプ状の絶縁ケースと、前記成膜室外に設けられる不活性ガス供給手段と、を備え、前記不活性ガス供給手段は、前記電源部の他端側から不活性ガスを前記絶縁ケースの内部に導入して前記接続部の周辺に送り込むことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , C23C 16/50

FI (2件)：

C23C16/44 J , C23C16/50

Fターム (3件)：

4K030AA09 , 4K030DA06 , 4K030FA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

載置台構造及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-146514 出願人：東京エレクトロン株式会社
載置台構造及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-081949 出願人：東京エレクトロン株式会社
加熱ステージ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-385730 出願人：ウシオ電機株式会社

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