スペーサおよびスペーサ保護用途のための共形アモルファスカーボン

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-553383
公開番号（公開出願番号）：特表2015-507363
出願日： 2013年01月16日
公開日（公表日）： 2015年03月05日
要約：

処理チャンバ内で基板上に窒素ドープアモルファスカーボン層を形成する方法が提供される。この方法は、概して、基板の上に所定の厚さの犠牲誘電体層を堆積させることと、基板の上部表面を露出させるために犠牲誘電体層の一部分を除去することによって基板上にパターン化特徴部を形成することと、パターン化特徴部および基板の露出された上部表面に所定の厚さの窒素ドープアモルファスカーボン層を共形に堆積させることと、異方性エッチングプロセスを使用して、パターン化特徴部の上部表面および基板の上部表面から窒素ドープアモルファスカーボン層を選択的に除去して、窒素ドープアモルファスカーボン層から形成された側壁スペーサの内部に充填されているパターン化特徴部を設けることと、基板からパターン化特徴部を除去することとを含む。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内で基板上にアモルファスカーボン層を形成する方法であって、基板の上に所定の厚さの犠牲誘電体層を堆積させることと、前記基板の上部表面を露出させるために前記犠牲誘電体層の一部分を除去することによって前記基板上にパターン化特徴部を形成することと、前記パターン化特徴部および前記基板の前記露出された上部表面に所定の厚さのアモルファスカーボン層を共形に堆積させることと、異方性エッチングプロセスを使用して、前記パターン化特徴部の上部表面および前記基板の前記上部表面から前記アモルファスカーボン層を選択的に除去して、前記アモルファスカーボン層から形成された側壁スペーサの内部に充填されている前記パターン化特徴部を設けることと、前記基板から前記パターン化特徴部を除去することとを含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , H01L 21/306 , H01L 21/28 , H01L 21/321 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L21/30 570 , H01L21/302 105A , H01L21/28 E , H01L21/88 C

Fターム (16件)：

4M104DD71 , 4M104HH14 , 5F004AA04 , 5F004EA03 , 5F004EA13 , 5F033PP12 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ27 , 5F033QQ35 , 5F033XX03 , 5F146LA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-301746 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275677 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307755 出願人：富士通株式会社

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