半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-217872
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077764
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。【解決手段】ソース電極層405a及びドレイン電極層405bの端部と、ゲート電極層401の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層403のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層401を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層491中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層481a,481bと、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層402のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層403を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれ上面が該絶縁層から露出した第1の埋め込み導電層及び第2の埋め込み導電層と、前記第1の埋め込み導電層と前記第2の埋め込み導電層との間の前記絶縁層の上面の一部と接し、且つ前記第1の埋め込み導電層の露出した上面と接して設けられた第1の導電層と、前記第1の埋め込み導電層と前記第2の埋め込み導電層との間の前記絶縁層の上面の一部と接し、且つ前記第2の埋め込み導電層の露出した上面と接して設けられた第2の導電層と、前記第1の導電層の一部、及び前記第1の埋め込み導電層の露出した上面の一部と接して設けられた第3の導電層と、前記第2の導電層の一部、及び前記第2の埋め込み導電層の露出した上面の一部と接して設けられた第4の導電層と、前記第1の導電層上、前記第2の導電層上、前記第3の導電層上、及び前記第4の導電層上に設けられ、前記第1の埋め込み導電層と前記第2の埋め込み導電層との間の前記絶縁層の上面の一部と接して設けられた酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面の一部と接して設けられたゲート電極層と、を有し、前記ゲート電極層は、前記第1の導電層の一部と前記酸化物半導体層及び前記ゲート絶縁層を介して重畳し、且つ前記第2の導電層の一部と前記酸化物半導体層及び前記ゲート絶縁層を介して重畳し、且つ前記第1の埋め込み導電層と前記第2の埋め込み導電層との間の前記絶縁層の上面の一部と、前記酸化物半導体層及び前記ゲート絶縁層を介して重畳する半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/108 , H01L 27/10 , H01L 27/11 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (16件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 626C , H01L29/78 620 , H01L27/10 434 , H01L27/10 615 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L27/10 481 , H01L27/10 461 , H01L27/10 495 , H01L27/10 381 , H01L29/78 371 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M

Fターム (158件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 5F083AD02 , 5F083BS01 , 5F083BS13 , 5F083BS27 , 5F083EP22 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA23 , 5F101BA17 , 5F101BB17 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF09 , 5F101BH16 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA07 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB09 , 5F110BB11 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HM02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-324938
特開平2-008821
半導体装置及びその作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-072635 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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