酸化物材料および半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-274833
公開番号（公開出願番号）：特開2013-035740
出願日： 2011年12月15日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことのできる半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜との界面の電子状態が良好なトランジスタを有する半導体装置を提供する。また、酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】c軸配向し、かつ表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸を中心に回転した結晶を含む酸化物材料を用いた半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

c軸配向し、かつab面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、前記ab面において、a軸またはb軸の向きが異なる結晶を含むことを特徴とする酸化物材料。

IPC (3件)：

C01G 15/00 , H01L 29/786 , C01G 19/00

FI (6件)：

C01G15/00 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/78 618F , H01L29/78 617M , C01G19/00 A

Fターム (69件)：

5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202001 出願人：ホーヤ株式会社
電気抵抗膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-135250 出願人：ホーヤ株式会社
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-194731 出願人：ホーヤ株式会社

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