特許
J-GLOBAL ID：201503068229739464

電子装置及びその製造方法

発明者：
佐藤 信太郎

佐藤 信太郎 について

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山田 綾香

山田 綾香 について

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八木 克典

八木 克典 について

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高橋 慎

高橋 慎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-130816
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005655
出願日： 2013年06月21日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：
【課題】比較的簡便な構造により、分子材料によりバンドギャップを形成したナノカーボン材料をチャネルとして用いた信頼性の高い電子装置を実現する。【解決手段】ナノカーボン材料3と、ナノカーボン材料3と電気的に接続された一対の電極4,5とを含み、ナノカーボン材料3下に形成された、ドーピング機能を有する少なくとも1種の分子材料からなる下層2と、ナノカーボン材料3上に形成された、互いに逆極性のドーピング機能を有する少なくとも2種の分子材料からなる上層6とを含み、ナノカーボン材料3は、下層2及び上層3により、一対の電極4,5間の領域において、NPN構造、PNP構造、N+P-P+構造、及びP+N-N+構造から選ばれた1種を構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ナノカーボン材料と、 前記ナノカーボン材料と電気的に接続された一対の電極と を含み、 前記ナノカーボン材料下に形成された、ドーピング機能を有する少なくとも1種の分子材料からなる下層と、 前記ナノカーボン材料上に形成された、互いに逆極性のドーピング機能を有する少なくとも2種の分子材料からなる上層と を含み、 前記ナノカーボン材料は、前記下層及び前記上層により、前記一対の電極間の領域において、NPN構造、PNP構造、N+P-P+構造、及びP+N-N+構造から選ばれた1種を構成することを特徴とする電子装置。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66
FI (11件)：
H01L29/78 616L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 220B ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 T
Fターム (34件)：
5F110AA16 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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