成膜方法、記憶媒体及び成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-134002
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012021
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】処理ガスのプラズマ化により得られたプラズマを用いて成膜処理を行うにあたり、膜質の良好な薄膜を成膜しながら、下地膜に対する膜剥がれを抑制すること。【解決手段】ジクロロシランガスとアンモニアガスのプラズマとをウエハWに交互に供給する成膜ステップを多数回に亘って行って窒化シリコン膜からなる薄膜を形成するにあたって、当該薄膜について、下層側の第1の膜302と上層側の第2の膜303とにより構成する。そして、第1の膜302を形成する時の成膜ステップにてウエハWに供給される活性種の量について、第2の膜303を形成する時の成膜ステップにてウエハWに供給される活性種の量よりも小さくする。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

真空容器内にて基板に対して薄膜を形成する成膜方法において、ガスをプラズマ化して得られた、前記薄膜の品質に関与する活性種を基板に供給する工程を含み、基板に第1の膜を成膜する第1の工程と、次いで、ガスをプラズマ化して得られた、前記薄膜の品質に関与する活性種を、制御パラメータを調整することにより、単位膜厚当たりの活性種の供給量が前記第1の工程における単位膜厚当たりの活性種の供給量よりも多くなるように基板に供給する工程を含み、前記第1の膜の上に当該第1の膜と同じ種別の膜である第2の膜を成膜する第2の工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/52 , C23C 16/50 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/31 C , C23C16/52 , C23C16/50 , H05H1/46 L

Fターム (48件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030BB13 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030GA08 , 4K030HA14 , 4K030HA15 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030JA20 , 4K030KA08 , 4K030KA28 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB02 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB17 , 5F045DC51 , 5F045DC65 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EK07

引用特許：

出願人引用 (8件)

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-193046 出願人：東京エレクトロン株式会社
窒化シリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220811 出願人：富士電機株式会社
特開昭52-115785

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審査官引用 (8件)

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-193046 出願人：東京エレクトロン株式会社
窒化シリコン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-220811 出願人：富士電機株式会社
特開昭52-115785

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