特許
J-GLOBAL ID：201303092511995094

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者：
加藤 寿

加藤 寿 について

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菱谷 克幸

菱谷 克幸 について

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牛窪 繁博

牛窪 繁博 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-193046
公開番号（公開出願番号）：特開2013-055243
出願日： 2011年09月05日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：
【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。【解決手段】2つのプラズマ発生部81、82を回転テーブル2の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部81、82とウエハWとの間にファラデーシールド95を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部81、82におけるアンテナ83と直交する方向に伸びるスリット97を各々のファラデーシールド95に設けて、各々のアンテナ83において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハW側に通過させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空容器内にて第1の処理ガス及び第2の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜装置において、 基板を載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、 この回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第1の処理ガス及び第2の処理ガスを供給する第1の処理ガス供給部及び第2の処理ガス供給部と、 前記真空容器内に主プラズマ発生用ガス及び補助プラズマ発生用ガスを夫々供給するための主プラズマ発生ガス供給部及び補助プラズマ発生ガス供給部と、 前記回転テーブルの周方向に互いに離間するように設けられ、主プラズマ発生用ガス及び補助プラズマ発生用ガスを夫々プラズマ化するための主プラズマ発生部及び補助プラズマ発生部と、を備え、 前記主プラズマ発生部は、 前記真空容器内で主プラズマ発生用ガスを誘導結合によりプラズマ化するように、前記回転テーブルの一面側に対向して設けられたアンテナと、 前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止すると共に磁界を基板側に通過させるために、前記アンテナと各々直交する方向に伸びるスリットが当該アンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなる、接地されたファラデーシールドと、を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (4件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/318 B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/42
Fターム (37件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB16 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EE19 ,  5F045EH06 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EM10 ,  5F045HA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF37 ,  5F058BH16
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (11件)
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