特許
J-GLOBAL ID:201503069860978051

化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-002259
公開番号(公開出願番号):特開2015-084122
出願日: 2015年01月08日
公開日(公表日): 2015年04月30日
要約:
【課題】有機系現像液を用いるネガ型パターン形成技術において、パーティクル発生を低減可能な、化学増幅型レジスト膜パターニング用有機系処理液の製造方法、これによる化学増幅型レジスト膜パターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び、電子デバイスの提供。【解決手段】液入口部と、液出口部と、流路内に設けた濾過フィルター膜とを有する濾過装置に、有機溶剤含有液を通過させる工程を有する、化学増幅型レジスト膜パターンニング用有機系処理液の製造方法であって、液入口部液温度と液出口部液温度との差の絶対値が3°C以下であり、装置での液濾過速度が0.5L/分/m2以上であり、装置での濾過圧力が0.1MPa以下である、化学増幅型レジスト膜パターンニング用有機系処理液の製造方法、これによる化学増幅型レジスト膜パターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】図1
請求項(抜粋):
液入口部と、液出口部と、前記液入口部と前記液出口部とを接続する流路内に設けられた濾過フィルター膜とを有する濾過装置に、有機溶剤を含有する液を通過させる工程を有し、前記液入口部における前記液の温度(TI)と、前記液出口部における前記液の温度(To)との差の絶対値(|TI-To|)が、3°C以下であり、前記濾過装置における前記液の濾過速度が0.5L/分/m2以上であり、前記濾過装置における前記液による濾過圧力が0.10MPa以下であり、前記濾過装置が、前記濾過フィルター膜として、フッ素樹脂から構成された濾過フィルター膜を含み、前記有機溶剤を含有する液が、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、又は、アルコール系溶剤である、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、により製造された化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液であって、 下記(1)〜(3)により得られるウェットパーティクル(N)の数が120個以下となる、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液。 (1)クラス1000のクリーンルームに設置されたAMAT社製ウエハー欠陥評価装置ComPLUS3T(検査モード30T)により8インチシリコンウエハー上のパーティクル数(N1)を検査し; (2)前記シリコンウエハー上に前記パターニング用有機系処理液を5mL吐出し、前記シリコンウエハーを、1000回転/分で1.6秒間回転させることにより、前記パターニング用有機系処理液を前記シリコンウエハー上で拡散させ、20秒間静置後、2000回転/分で20秒間スピン乾燥させ; (3)24時間後に、前記シリコンウエハー上のパーティクル数(N2)をAMAT社製ウエハー欠陥評価装置ComPLUS3T(検査モード30T)により検査し、N2-N1をウエットパーティクル数(N)とする。
IPC (2件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/30
FI (3件):
G03F7/32 ,  G03F7/30 501 ,  G03F7/32 501
引用特許:
審査官引用 (4件)
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