特許
J-GLOBAL ID:201203012420708733
パターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (18件):
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-188639
公開番号(公開出願番号):特開2012-047896
出願日: 2010年08月25日
公開日(公表日): 2012年03月08日
要約:
【課題】欠陥密度の小さいパターンを形成可能とするパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、(b)前記膜を露光することと、(c)第1有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/mL以下である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、
(b)前記膜を露光することと、
(c)第1有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することと
を含んだパターン形成方法であって、
前記現像液は、粒径が0.3μm以上のパーティクルの密度が30個/mL以下であるパターン形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/32
, G03F 7/039
, G03F 7/038
, H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/32
, G03F7/039 601
, G03F7/038 601
, H01L21/30 502R
, H01L21/30 569E
, G03F7/32 501
Fターム (35件):
2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA03
, 2H096GA60
, 2H096JA03
, 2H125AF17P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AH14
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AM22P
, 2H125AM23P
, 2H125AM99P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN86P
, 2H125BA01P
, 2H125BA26P
, 2H125BA32P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC17
, 2H125FA05
, 5F046LA12
, 5F146LA12
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (1件)
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最新レジスト材料ハンドブック, 20050929, 第294頁、第295頁
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