特許
J-GLOBAL ID：200903096693120058

ディフェクト抑制ポジ型レジスト塗布液

発明者：
佐藤 和史

佐藤 和史 について

, 
前盛 諭

前盛 諭 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074098
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267269
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状、引置経時安定性及び基板依存性などのレジスト特性が良好である上、特に現像後のディフェクトの発生を抑制するポジ型レジスト塗布液を提供する。【解決手段】 (A)水酸基が酸解離性基で保護されたヒドロキシスチレン単位と水酸基が保護されていないヒドロキシスチレン単位とを有する重合体及び(B)酸発生剤を、(C)プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートと過剰量の沸点80〜200°Cのヒドロキシル系有機溶剤とからなる混合溶剤に溶解させて、ディフェクト抑制ポジ型レジスト塗布液とする。
請求項（抜粋）：
(A)水酸基が酸解離性基で保護されたヒドロキシスチレン単位と水酸基が保護されていないヒドロキシスチレン単位とを有する重合体及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を、(C)有機溶剤に溶解してなるポジ型レジスト塗布液において、上記(C)成分として、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートと50重量%を超える割合の沸点80〜200°Cのヒドロキシル系有機溶剤との混合溶剤を用いることを特徴とするディフェクト抑制ポジ型レジスト塗布液。
IPC (3件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (16件)：
2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03
引用特許：
審査官引用 (15件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM