特許
J-GLOBAL ID:201503071012027980

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 磯野 道造 ,  奈良 泰男 ,  伊藤 直樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-260475
公開番号(公開出願番号):特開2015-118774
出願日: 2013年12月17日
公開日(公表日): 2015年06月25日
要約:
【課題】電極の劣化に伴う輝度・発光効率の低下や、電極表面へのパーティクルの付着に伴うリークの発生を防止することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、基材に第1電極を形成する第1電極形成工程S3と、前記第1電極に積層するように発光層を含む有機機能層を形成する有機機能層形成工程S4と、前記有機機能層に積層するように第2電極を形成する第2電極形成工程S5と、を含み、前記第1電極形成工程S3から前記第2電極形成工程S5までの工程は、ロールツーロール方式により真空雰囲気下で行われることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材に第1電極を形成する第1電極形成工程と、 前記第1電極に積層するように発光層を含む有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、 前記有機機能層に積層するように第2電極を形成する第2電極形成工程と、 を含み、 前記第1電極形成工程から前記第2電極形成工程までの工程は、ロールツーロール方式により真空雰囲気下で行われることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/06 ,  H05B 33/04
FI (4件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/06 ,  H05B33/04
Fターム (15件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC29 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107DD38 ,  3K107EE45 ,  3K107FF16 ,  3K107GG05 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  3K107GG33 ,  3K107GG37 ,  3K107GG42
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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