特許
J-GLOBAL ID：201503074695820450

固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム

発明者：
森山 孝志

森山 孝志 について

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箕輪 雅章

箕輪 雅章 について

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市川 武史

市川 武史 について

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小川 昌洋

小川 昌洋 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210588
公開番号（公開出願番号）：特開2015-076453
出願日： 2013年10月07日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：
【課題】光電変換により生じた電荷の転送効率の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、基板の上に、下側から上側に向かって不純物濃度が低くなるように、エピタキシャル成長法により設けられた第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の上に設けられた前記第1導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域に、前記第2半導体領域との間でPN接合を形成するように設けられた第2導電型の第3半導体領域と、を備え、前記第2半導体領域は、その不純物濃度分布がイオン注入法により調整されたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に、下側から上側に向かって不純物濃度が低くなるように、エピタキシャル成長法により設けられた第1導電型の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域の上に設けられた前記第1導電型の第2半導体領域と、 前記第2半導体領域に、前記第2半導体領域との間でPN接合を形成するように設けられた第2導電型の第3半導体領域と、を備え、 前記第2半導体領域は、その不純物濃度分布がイオン注入法により調整された、 ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/33
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/33
Fターム (17件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024HX60
引用特許：
審査官引用 (11件)
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