特許
J-GLOBAL ID：200903097420388461
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119724
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303154
出願日： 2004年04月15日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】ダブルウェル構造では、画素アレイ部用のPウェル202がN型層によって囲まれており、Pウェル202の抵抗が高いため、当該Pウェル202の電位が揺れやすく、その電位の揺れがランダムノイズやシェーディングを引き起こす要因となる。【解決手段】P型基板19Aの表層部に、画素アレイ部用のPウェル21をP型基板19Aに対して電気的に接続された状態で形成する。P型基板19Aの表層部にさらに、周辺回路部の一部(PMOSトランジスタ)を形成するためのNウェル22が形成し、このNウエル22内には周辺回路部の残りの一部(NMOSトランジスタ)を形成するためのPウェル23をP型基板19Aに対して電気的に分離された状態で形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に当該半導体基板と電気的に接続された状態で形成され、かつ、光電変換素子を含む画素が配置されてなる画素アレイ部が形成された第1導電型の第1のウェルと、
前記半導体基板上に形成された第2導電型の第2のウェルと、
前記第2のウェル内に前記半導体基板と電気的に分離された状態で形成され、かつ、前記画素アレイ部の周辺回路部の少なくとも一部が形成された第1導電型の第3のウェルと
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FA33
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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