特許
J-GLOBAL ID：201103079674131517
固体撮像装置及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-276834
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119543
出願日： 2009年12月04日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】 従来の裏面入射型固体撮像装置では、用いられるイオン種によっては、光入射面の界面に配されたN型半導体領域が不純物拡散によって拡がってしまう場合があり、感度低下あるいはノイズの原因となる。本発明は、高感度で混色の少ない裏面入射型固体撮像素子の提供を目的とする。【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部を含む画素が複数配された裏面入射型固体撮像装置である。PD形成基板101の表面にホールが収集されるP型半導体領域110が配される。PD形成基板101の裏面には、P型半導体領域110の下部にN型半導体領域119が配される。N型半導体領域119は主たる不純物としてヒ素を含む。光電変換部は、P型半導体領域110とN型半導体領域119を含んで構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光電変換部を含む複数の画素が配された半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面側に配された配線層とを有し、
前記半導体基板の第1主面とは反対側の第2主面から、前記光電変換部へ光が入射する裏面入射型の固体撮像装置において、
前記光電変換部が、第1のN型半導体領域と第1のP型半導体領域とを含み、
前記第1のN型半導体領域は、主たる不純物としてヒ素を含み、
前記第1のN型半導体領域は、前記第1のN型半導体領域よりも前記半導体基板の第2主面に近い位置に配され、
光電変換によって発生したホールが、信号電荷として前記第1のP型半導体領域に収集される
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 U
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118CA32
, 4M118DD04
, 4M118EA20
, 4M118GA02
, 4M118GA09
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 5C024CX03
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX24
, 5C024GY31
, 5C024JX21
