特許
J-GLOBAL ID：201503075790162059

単結晶ダイヤモンドの製造方法

発明者：
山田 英明

山田 英明 について

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茶谷原 昭義

茶谷原 昭義 について

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杢野 由明

杢野 由明 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-205146
公開番号（公開出願番号）：特開2015-067516
出願日： 2013年09月30日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：
【課題】接合面の結晶学的性質が優れた単結晶ダイヤモンド基板を提供する。【解決手段】下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法:(1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板A,Bであって、種基板A,Bのオフ方向と種基板A,Bの稜線のなす角が17度より大きく、90度未満となるように種基板A,Bの主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板A,Bを、支持台上に、互いの整形加工された種基板A,Bの側面同士が接触し、種基板A,Bの結晶面のオフ方向を一致させ、且つ種基板A,Bの主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程。(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板A,Bの主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法: (1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板のオフ方向と該種基板の稜線のなす角が17度より大きく、90度以下となるように該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板を、支持台上に、互いの整形加工された該種基板の側面同士が接触し、該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、 (2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。
IPC (3件)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/06
FI (3件)：
C30B29/04 P ,  C23C16/27 ,  C01B31/06 A
Fターム (41件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB08 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EB06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG11 ,  4G077GA05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC17A ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD01 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146CB07 ,  4G146CB26 ,  4G146CB33 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA01 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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